Výhody bipolárneho tranzistora s izolovanou bránou (IGBT)

Hlavné výhody
Vysoká vstupná impedancia: Podobne ako MOSFET sú IGBT zariadenia napájané napätím-, pričom brána nespotrebúva takmer žiadny prúd, vďaka čomu je budiaci obvod jednoduchý a má nízku-energiu.

Nízka hnacia sila: Vyžaduje sa len miliwattová{0}}úroveň hnacieho výkonu, oveľa nižšia ako u tradičných BJT, čo prispieva k energeticky-účinnému dizajnu.

Znížený pokles kondukčného napätia: Pri použití efektu modulácie vodivosti je saturačné napätie v zapnutom -stave (VCE(sat)) iba 1–3 V, čo je výrazne nižšie ako u MOSFETov s rovnakým menovitým napätím, čím sa znižuje strata vodivosti.

Vysoká rýchlosť spínania: Prevádzková frekvencia môže dosiahnuť 1–20 kHz, čo je vhodné pre vysoko-frekvenčné meniče, motorové pohony a iné scenáre.

Veľká energetická kapacita: Jeden modul môže podporovať až 6500 V/600 A, čo je vhodné pre vysoko-napäťové, vysokoprúdové{3}}aplikácie, ako sú nové energetické vozidlá, železničná doprava a priemyselné pohony s premenlivou frekvenciou.

Kompaktná štruktúra a vysoká spoľahlivosť: Modulárne balenie (napríklad integrácia s diódami rýchleho obnovenia, FWD) uľahčuje integráciu systému a zvyšuje celkovú stabilitu.