-
![IGBT moduly s vysokou hustotou výkonu]()
IGBT moduly s vysokou hustotou výkonuNáš 3-fázový úplný-premosťovací modul PIM spája všetky napájacie časti v jednom balení. Sme Hangzhou Zhongda Motor. Výkonovú elektroniku sme začali vyvíjať a predávať v roku 1987. Náš 3-fázový
-
![Výkonový tranzistor 1200 V]()
Výkonový tranzistor 1200 VVýkonový tranzistor s napätím 1 200 voltov pokrýva menovité prúdy od 20 A do 300 A a integruje izolačnú vyrovnávaciu vrstvu na zníženie-vysokonapäťového elektromagnetického rušenia. Je vhodný pre
-
![Integrovaný trojfázový napájací modul]()
Integrovaný trojfázový napájací modulKaždý modul prechádza úplnými kontrolami zahŕňajúcimi 3-test vyváženia, test nárastu teploty pri plnom zaťažení a test odolnosti voči napätiu. Produkty sú držiteľmi kompletných exportných
-
![Priestorovo úsporný modul IGBT]()
Priestorovo úsporný modul IGBTPriestorovo úsporný IGBT modul využíva 600V priemyselnú napäťovú platformu s prúdom od 15A do 130A. Ultra-tenký dizajn tepelného substrátu rieši problémy s rozptylom tepla v kompaktných zariadeniach,
-
![Inteligentný výkonový polovodičový modul]()
Inteligentný výkonový polovodičový modulModul Smart Power Semiconductor Module integruje IGBT čipy, obvody ovládačov, nad-ochranu nad prúdom,-prepäťovú ochranu, ochranu proti-prehriatiu a teplotnú spätnú väzbu. Podporuje 600V priemyselnú
-
![Univerzálny IGBT polovodičový modul]()
Univerzálny IGBT polovodičový modulUniverzálny polovodičový modul IGBT pokrýva 600V a 1200V napäťové platformy s menovitým prúdom od 30A do 150A. Integrovaný vyrovnávací obvod zjednodušuje dizajn externého obvodu a poskytuje
-
![Vysokoprúdový IGBT komponent]()
Vysokoprúdový IGBT komponentVysokoprúdový IGBT komponent je dostupný v napäťových platformách 600 V a 1200 V s menovitým prúdom od 100 A do 600 A. Vstavaný-ochranný obvod proti skratu{6}}znižuje riziko zlyhania systému. Všetky
-
![100 Amp IGBT polovodič]()
100 Amp IGBT polovodič100 Amp IGBT Semiconductor je k dispozícii v dvoch napäťových stupňoch: 600 V a 1200 V. Integrovaný substrát na odvádzanie tepla znižuje zložitosť tepelného návrhu systému, zatiaľ čo proces
-
![Zariadenie s izolovaným hradlom s bipolárnym tranzistorom]()
Zariadenie s izolovaným hradlom s bipolárnym tranzistoromSéria bipolárnych tranzistorových zariadení s izolovanou bránou pokrýva viaceré špecifikácie napätia a prúdu. Vďaka dizajnu čipu s nízkou stratou spínania a vysokej odolnosti voči nárazovým prúdom sú
-
![IGBT napájací modul]()
IGBT napájací modulNáš igbt 1200v je pre vás ako stvorený. Sme Hangzhou Zhongda Motor. Výkonové polovodiče sme začali vyvíjať v roku 1987. Tento igbt 1200v je naša najobľúbenejšia napäťová trieda. Pokrýva od 10A do
-
![Sic IGBT modul]()
Sic IGBT modulNaše všeobecné{0}}moduly IGBT sú presne také. Spoločnosť Hangzhou Zhongda Motor Co., Ltd. začala v roku 1987. Tieto moduly IGBT na všeobecné použitie vyrábame pre najbežnejšie veľkosti. 50A, 75A,
-
![Kompaktné IGBT moduly]()
Kompaktné IGBT modulyNaše balené moduly IGBT používajú odvetvové{0}}štandardné tvary a kolíky. Môžu nahradiť väčšinu populárnych značiek. Sme Hangzhou Zhongda Motor. S vývojom a predajom výkonových polovodičov sme začali
Amber Brandt
Virginia Liss
Larry Austin
Byron Garcia
Tracy Ferreira
Gén